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EMH2314
IDP= --20A(PW ≤ 10 μ s)
1
--10 1m 00 μ s
ID= --5A
ms
era
2 op 0m
--1.0 tio
Ta
25
° C
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
VDS= --6V
ID= --5A
1 2
3
4
VGS -- Qg
5 6 7
8
9
10
11
12
--100
7
5
3
2
5 =
3 Operation in this area
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
ASO
3 DC 10
7 n(
is limited by RDS(on).
5 10
s
7 s
2 )
2 3
5 7--10
1.4
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT16901
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16902
When mounted on ceramic substrate
1.2
1.0
(900mm 2 × 0.8mm)
To
al
ni
0.8
0.6
1u
t
t
di
ss
ip
at
io
n
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT16903
No.8759-4/7
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